MOSFET IRFP250N N Canal 200 V / 30 A – TO 247 Baja RDS(on) (Fabricado en Taiwan)

MOSFET N‑canal IRFP250N 200 V / 30 A, RDS(on) 0,10 Ω, encapsulado TO‑247. Ideal para fuentes conmutadas, inversores y convertidores de alta corriente.

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SKU: ELE-RB-EYS1958-IRFP250N-TAIWAN--Z001SEL Categoría: Etiquetas: , , , , , , ,

Descripción

El IRFP250N es un MOSFET de potencia N‑canal en encapsulado TO‑247 capaz de manejar 200 V y 30 A continuos (hasta 120 A en pulsos de 10 µs). Gracias a su baja resistencia de conducciónRDS(on) típ. 0,085Ω / máx. 0,10Ω @ VGS=10 V—y una carga de compuerta (Qg) de ≈ 160 nC, ofrece un equilibrio excelente entre pérdidas de conducción y eficiencia de conmutación.

Fabricado en Taiwan, el IRFP250N garantiza robustez avalancha 100 % probada, rango térmico ampliado (–55 °C ~ +175 °C) y disipación de hasta 250 W con disipador adecuado. Es la opción preferida para fuentes conmutadas de 24‑120 V, inversores DC‑AC, controladores BLDC, convertidores buck/boost de alta corriente y amplificadores clase D.

Principales características

Característica Valor
Tensión drenador‑fuente (VDSS) 200 V
Corriente drenador continua (ID) 30 A @ 25 °C
Corriente de pico 120 A (10 µs)
RDS(on) máx. 0,10 Ω @ 10 VGS, 18 A
Carga de puerta (Qg) ≈ 160 nC
Capacitancia de entrada (Ciss) ≈ 4500 pF
Potencia de disipación (PD) 250 W (RθJC ≈ 0,5 °C/W)
Rango térmico –55 °C ~ +175 °C
Encapsulado TO‑247 (pin‑out: G

Ventajas clave

  • Baja RDS(on) (0,10Ω) → pérdidas de conducción reducidas.
  • Carga de puerta moderada (160 nC) → conmutación eficiente hasta 50‑60 kHz.
  • Avalancha y dv/dt 100 % testados → alta robustez en entornos inductivos.
  • Fabricación japonesa → control de calidad superior y fiabilidad a largo plazo.

Aplicaciones típicas

  • Fuentes conmutadas half/full bridge (24‑120 V).
  • Inversores fotovoltaicos y UPS de 48 V‑120 V.
  • Controladores de motor BLDC y drivers de relé/solenoide de alta corriente.
  • Convertidores buck/boost, cargadores rápidos Li‑ion.
  • Amplificadores clase D y audio industrial de potencia media.

FAQs

Pregunta Respuesta
1. ¿Por qué elegir la versión “N”? El IRFP250N ofrece RDS(on) y Qg más bajos que la versión IRFP250 estándar, mejorando la eficiencia global.
2. ¿Cómo disiparlo correctamente? Use disipador ≤ 1 °C/W con pasta térmica; añada ventilador si la disipación supera 120 W continuos.
3. ¿Voltaje de puerta recomendado? 10‑12 VGS para mínima RDS(on); no exceder ±20 V para proteger la compuerta.
4. ¿Es posible usarlo en paralelo? Sí. Añada resistencias de fuente (≈ 0,05 Ω) para equilibrar corrientes entre dispositivos.
5. ¿Necesita snubber/TVS? Recomendable: snubber RC o TVS 220 V para limitar picos, aunque el dispositivo soporta avalancha.

Información adicional

EAN

0692878210683

GTIN

10692878210680

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