Transistores
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MOSFET (15)
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Transistores de potencia (BJT) (7)
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Transistores de señal (BJT) (17)
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MOSFET 2N7002 SOT-23 canal N 60V
0,08 € IVA incl.Añadir al carritoMOSFET 2N7002 de canal N en encapsulado SOT-23 de 3 pines, con tensión VDS máxima de 60V. Ideal para conmutación SMD, adaptación de niveles y control de cargas ligeras en circuitos electrónicos compactos.
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IRFP064NPbF – MOSFET N-canal 55 V 110 A TO-247 (Libre de plomo)
1,50 € IVA incl.Añadir al carritoMOSFET N-canal IRFP064NPbF en TO-247AC: 55 V, 110 A, R_DS(on) 8 mΩ, 200 W. Libre de plomo. Ideal para conmutación de baja tensión/alta corriente en fuentes, inversores y control de motores.
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MOSFET IRFP450N N Canal 500 V / 14 A – TO 247 Baja RDS(on) (Fabricado en Taiwán)
1,75 € IVA incl.Añadir al carritoMOSFET N‑canal IRFP450N 500 V / 14 A, RDS(on) 0,37 Ω y Qg 77 nC, encapsulado TO‑247. Ideal para SMPS, inversores y convertidores de alta tensión.
Nota: La imagen es sólo para mostrar el producto, se enviará el modelo adquirido.
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MOSFET IRFP250N N Canal 200 V / 30 A – TO 247 Baja RDS(on) (Fabricado en Japón)
1,99 € IVA incl.Añadir al carritoMOSFET N‑canal IRFP250N 200 V / 30 A, RDS(on) 0,10 Ω, encapsulado TO‑247. Ideal para fuentes conmutadas, inversores y convertidores de alta corriente.
Nota: La imagen es sólo para mostrar el producto, se enviará el modelo adquirido.
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MOSFET IRFP064N N Canal 55 V / 110 A – TO 247 Baja R DS(on) (Fabricado en China)
1,36 € IVA incl.Añadir al carritoMOSFET N‑canal IRFP064N 55 V / 110 A, R DS(on) 8 mΩ, encapsulado TO‑247. Ideal para fuentes conmutadas, inversores y controladores de motor.
Nota: La imagen es sólo para mostrar el producto, se enviará el modelo adquirido.
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MOSFET IRFP260M N Canal 200 V / 50 A – Encapsulado TO 247 (Fabricado en China)
1,99 € IVA incl.Añadir al carritoMOSFET N‑canal IRFP260M – 200 V, 50 A, R<sub>DS(on)</sub> 40 mΩ, encapsulado TO‑247. Ideal para SMPS, inversores y audio clase D.
Nota: La imagen es sólo para mostrar el producto, se enviará el modelo adquirido.
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Transistor NPN BD139 TO 126 – 80 V / 1,5 A Potencia Media
0,30 € IVA incl.Añadir al carritoTransistor NPN BD139, 80 V / 1,5 A, encapsulado TO‑126; ideal para etapas de potencia media y circuitos de audio o regulación.
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Transistor PNP 2SA1941 (TO-3P) – Alta Potencia para Audio y Electrónica de Potencia
3,41 € IVA incl.Añadir al carritoTransistor PNP 2SA1941 de alta potencia (TO-3P), 140V, 10A, 100W. Complemento del 2SC5198, ideal para amplificadores de audio, fuentes conmutadas y control de motores.
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Transistor PNP 2SA1943 (TO-3PL) – Alta Potencia para Audio y Electrónica de Potencia
2,43 € IVA incl.Añadir al carritoTransistor PNP 2SA1943 de alta potencia (TO-3PL), 230V, 15A, 150W. Complemento del 2SC5200, ideal para amplificadores de audio, fuentes conmutadas y control de motores.
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Transistor NPN 2SC5200 (TO-3PL) – Alta Potencia para Audio y Electrónica de Potencia
1,95 € IVA incl.Añadir al carritoTransistor NPN 2SC5200 de alta potencia (TO-3PL), 230V, 15A, 150W. Complemento del 2SA1943, ideal para amplificadores de audio, fuentes conmutadas y control de motores.
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Transistor NPN 2SC5198 (TO-3P) – Alta Potencia para Audio y Electrónica de Potencia
1,95 € IVA incl.Añadir al carritoTransistor NPN 2SC5198 de alta potencia (TO-3P), 140V, 10A, 100W. Complemento del 2SA1941, ideal para amplificadores de audio, fuentes conmutadas y control de motores.
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Transistor PNP TTA1943 (TO-3PL) – Alta Potencia para Audio y Control de Energía
2,21 € IVA incl.Añadir al carritoTransistor PNP TTA1943 de alta potencia (TO-3PL), 230V, 15A, 150W. Complemento del TTC5200, ideal para amplificadores de audio, fuentes conmutadas y control de motores.
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Transistor TTC5200 NPN de Potencia (TO-3PL) – Alta Corriente y Voltaje
2,21 € IVA incl.Añadir al carritoTransistor NPN TTC5200 de alta potencia (TO-3PL), 230V, 15A, 150W. Ideal para amplificadores de audio, fuentes conmutadas y control de motores.
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MOSFET IRFP250N N Canal 200 V / 30 A – TO 247 Baja RDS(on) (Fabricado en Taiwan)
1,60 € IVA incl.Añadir al carritoMOSFET N‑canal IRFP250N 200 V / 30 A, RDS(on) 0,10 Ω, encapsulado TO‑247. Ideal para fuentes conmutadas, inversores y convertidores de alta corriente.
Nota: La imagen es sólo para mostrar el producto, se enviará el modelo adquirido.
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MOSFET IRFP260N N Canal 200 V / 50 A – TO 247 Baja RDS(on) (Fabricado en Taiwán)
1,68 € IVA incl.Añadir al carritoMOSFET N‑canal IRFP260N 200 V / 50 A, RDS(on) 0,040 Ω, Qg 156 nC, encapsulado TO‑247. Ideal para fuentes conmutadas, inversores y convertidores de alta corriente.
Nota: La imagen es sólo para mostrar el producto, se enviará el modelo adquirido.
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MOSFET IRFP460N N Canal 500 V / 20 A – TO 247 Baja RDS(on) (Fabricado en Taiwán)
1,75 € IVA incl.Añadir al carritoMOSFET N‑canal IRFP460N 500 V / 20 A, RDS(on) 0,24 Ω, TO‑247. Ideal para SMPS, inversores y convertidores de alta tensión.
Nota: La imagen es sólo para mostrar el producto, se enviará el modelo adquirido.