Descripción
El IRFP450N es un MOSFET de potencia N‑canal optimizado para conmutación de alta tensión en aplicaciones de hasta 500 V y 14 A continuos. Gracias a su baja resistencia de conducción (RDS(on) máx. 0,37 Ω @ 10 VGS) y a una carga de compuerta muy reducida (Qg ≈ 77 nC) , ofrece pérdidas mínimas tanto en conducción como en conmutación, superando en eficiencia al IRFP450 y IRFP450A estándar.
Fabricado en Taiwán con proceso HEXFET® de última generación, incorpora pruebas de avalancha al 100 %, rango térmico ampliado (–55 °C ~ +175 °C) y permite disipar hasta 180 W con disipador adecuado, lo que lo convierte en la elección ideal para SMPS de 300‑450 V, inversores DC‑AC, convertidores resonantes LLC, hornos de inducción y amplificadores clase D.
Principales características
| Característica | Valor |
| Tensión drenador‑fuente (VDSS) | 500 V |
| Corriente drenador continua (ID) | 14 A @ 25 °C |
| Corriente de pico (10 µs) | 56 A |
| RDS(on) máx. | 0,37 Ω @ 10 VGS |
| Carga de compuerta (Qg) | ≈ 77 nC |
| Capacitancia de entrada (Ciss) | ≈ 2600 pF |
| Potencia de disipación (PD) | 180 W (RθJC ≈ 0,7 °C/W) |
| Temperatura de operación | –55 °C ~ +175 °C |
| Encapsulado | TO‑247 (G |
Ventajas clave
- RDS(on) y Qg más bajos que las versiones IRFP450 / 450A → mayor eficiencia de conmutación y menor calentamiento.
- Avalancha y dv/dt 100 % testados, excelente robustez en cargas inductivas.
- Encapsulado TO‑247 con pestaña metálica y orificio M3: montaje firme al disipador.
Aplicaciones típicas
- Fuentes conmutadas half/full bridge (300‑450 V).
- Inversores fotovoltaicos y UPS 48‑120 V.
- Hornos de inducción y calentadores HF.
- Convertidores resonantes LLC, PFC boost y cargadores rápidos.
- Amplificadores clase D de alto voltaje y drivers BLDC de media potencia.
FAQs
| Pregunta | Respuesta |
| 1. ¿En qué mejora respecto al IRFP450A? | El IRFP450N reduce RDS(on) a 0,37 Ω y Qg a 77 nC, ofreciendo menor pérdida y mayor frecuencia operativa. |
| 2. ¿Cómo disiparlo correctamente? | Disipador ≤ 1 °C/W con pasta térmica; ventilación forzada si la disipación supera ~80 W continuos. |
| 3. ¿Voltaje de puerta óptimo? | 10‑12 VGS para saturar plenamente; no exceder ±20 V para proteger la compuerta. |
| 4. ¿Puedo usarlo en paralelo? | Sí, con resistencias de fuente (≈ 0,05 Ω) para balancear corrientes. |
| 5. ¿Necesita snubber o TVS? | Recomendable TVS 220 V o RC snubber para limitar picos, aunque el MOSFET soporte avalancha. |
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