Descripción
El IRFP250M es un MOSFET de potencia N‑canal en encapsulado TO‑247 capaz de manejar 200 V de tensión drenador‑fuente y 30 A continuos. Con una R<sub>DS(on)</sub> típica de 60 mΩ @ V<sub>GS</sub>=10 V y carga de compuerta moderada, resulta idóneo para fuentes conmutadas, inversores DC‑AC, controladores de motor, convertidores DC‑DC y amplificadores clase D.
El diseño “planar” y el amplio margen térmico (–55 °C ~ +175 °C) ofrecen conmutación rápida y robustez frente a avalanchas, mientras que el encapsulado TO‑247 facilita la fijación a disipadores para alcanzar potencias de hasta 250 W.
Principales características
- V<sub>DSS</sub> 200 V y I<sub>D</sub> 30 A – adecuado para buses de 48 V y 120 V.
- R<sub>DS(on)</sub> ≤ 60 mΩ @ V<sub>GS</sub>=10 V, I<sub>D</sub>=15 A → pérdidas bajas.
- Potencia de disipación hasta 250 W con disipador adecuado.
- Baja carga de puerta (Q<sub>g</sub> ≈ 150 nC) para conmutación eficiente.
- Protección avalancha 100 % testada: soporta picos de energía sin fallo.
- Encapsulado TO‑247 con orificio M3: montaje seguro y buena conducción térmica.
Características técnicas
| Parámetro | Valor |
| Tipo | MOSFET N‑canal, potencia |
| V<sub>DSS</sub> máx. | 200 V |
| I<sub>D</sub> continuo | 30 A @ T<sub>C</sub>=25 °C |
| I<sub>D</sub> pulso | 120 A (10 µs) |
| R<sub>DS(on)</sub> (máx.) | 60 mΩ @ 10 V<sub>GS</sub>, 15 A |
| C<sub>iss</sub> | 4800 pF (típ.) |
| Q<sub>g</sub> | 150 nC (típ.) |
| P<sub>D</sub> | 250 W (con R<sub>θJC</sub> ≈ 0,5 °C/W) |
| T<sub>j</sub> / T<sub>stg</sub> | –55 °C ~ +175 °C |
| Encapsulado | TO‑247 – pin‑out: G (1) |
FAQs
| Pregunta | Respuesta |
| 1. ¿Para qué aplicaciones destaca el IRFP250M? | Fuentes SMPS 48 V‑120 V, inversores solares, drivers para motores BLDC, convertidores DC‑DC de alta corriente y amplificadores clase D. |
| 2. ¿Cómo debe disiparse a 30 A? | Atornilla el TO‑247 a un disipador ≤ 1 °C/W con pasta térmica; añade ventilador si la potencia supera 120 W. |
| 3. ¿Es intercambiable con IRFP250N? | Sí, comparten V<sub>DSS</sub> y corriente; el modelo M ofrece R<sub>DS(on)</sub> ligeramente más baja. |
| 4. ¿Cuál es la tensión de puerta recomendada? | 10‑12 V para saturar totalmente; nunca exceder ±20 V. |
| 5. ¿Soporta picos de tensión? | Cuenta con capacidad de avalancha probada; aun así se recomienda diodo TVS o snubber en aplicaciones inductivas. |
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