MOSFET IRFP064N N Canal 55 V / 110 A – TO 247 Baja R DS(on) (Fabricado en China)

MOSFET N‑canal IRFP064N 55 V / 110 A, R DS(on) 8 mΩ, encapsulado TO‑247. Ideal para fuentes conmutadas, inversores y controladores de motor.

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SKU: ELE-RB-EYS1958-IRFP064N--Z001SEL Categoría: Etiquetas: , , , , , ,

Descripción

El IRFP064N es un MOSFET de potencia N‑canal optimizado para baja resistencia de conducción—solo 8 mΩ @ VGS=10 V—y corrientes elevadas de hasta 110 A. Con una tensión drenador‑fuente de 55 V, resulta ideal para fuentes conmutadas de 24 V/36 V, controladores BLDC, inversores DC‑AC, convertidores DC‑DC de alta corriente, cargadores de baterías Li‑ion y amplificadores clase D.

Su encapsulado TO‑247 con gran pestaña metálica facilita la fijación a disipadores, permitiendo disipar hasta 300 W en condiciones adecuadas. La versión “Made in China” mantiene las especificaciones clave del modelo original de Infineon/IR a un coste más bajo.

Principales características

  • VDSS 55 V, margen perfecto para buses de 24 V y 36 V.
  • ID continuo 110 A @ 25 °C; picos de 420 A (10 µs).
  • RDS(on) típico 6 mΩ / máx. 8 mΩ @ 10 VGS, 55 A.
  • Carga de puerta (Qg) ≈ 160 nC, conmutación rápida en SMPS.
  • Capacidad de avalancha 100 % testada, robustez frente a transitorios inductivos.
  • Encapsulado TO‑247 – tres patillas THT y orificio M3 para disipador.

Características técnicas

Parámetro Valor
Tipo MOSFET N‑canal, potencia
VDSS máx. 55 V
ID continuo 110 A @ TC=25 °C
ID pulso 420 A (10 µs)
RDS(on) máx. 8 mΩ @ 10 VGS
Qg típica 160 nC
Ciss típica 8900 pF
Potencia de disipación 300 W (RθJC ≈ 0,5 °C/W)
Rango Tj / stg –55 °C ~ +175 °C
Encapsulado TO‑247 (pin‑out: G

FAQs

Pregunta Respuesta
1. ¿Para qué aplicaciones destaca el IRFP064N? Convertidores DC‑DC de alta corriente, inversores 24 V/48 V, controladores de motor, amplificadores clase D, cargadores rápidos y fuentes ATX modificadas.
2. ¿Cómo garantizar la disipación a 110 A? Monta sobre disipador ≤ 0,8 °C/W, utiliza pasta térmica y añade ventilación forzada para cargas continuas > 150 W.
3. ¿Rango de puerta recomendado? 10–12 V para minimizar RDS(on) – soporta ±20 V máx.
4. ¿Equivalente al IRFP064N de Infineon? Sí, rugosidad eléctrica similar; verifica curvas en el datasheet para proyectos críticos.
5. ¿Cómo protegerlo de transitorios? Añade diodo TVS 58 V o snubber RC; la robustez avalancha ayuda, pero la protección externa aumenta la vida útil.

Información adicional

EAN

0692878210584

GTIN

10692878210581

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