Descripción
El IRFP260N es un MOSFET de potencia N‑canal en encapsulado TO‑247 optimizado para conmutación rápida en aplicaciones de 200 V y 50 A continuos (hasta 200 A en pulsos de 10 µs). Con su baja resistencia de conducción—RDS(on) típ. 0,033 Ω / máx. 0,040 Ω @ 10 VGS—y una carga de compuerta (Qg) de unos 156 nC, combina pérdidas reducidas tanto en conducción como en conmutación.
Fabricado en Taiwán bajo el proceso HEXFET® 5ª Generación, el IRFP260N ofrece robustez avalancha 100 % probada, rango térmico ampliado (–55 °C ~ +175 °C) y disipación de hasta 300 W con disipador adecuado, convirtiéndolo en la referencia para fuentes conmutadas de 48‑120 V, inversores DC‑AC, controladores de motor BLDC, convertidores buck/boost de alta corriente y amplificadores clase D de media‑alta potencia.
Principales características
| Característica | Valor |
| Tensión drenador‑fuente (VDSS) | 200 V |
| Corriente drenador continua (ID) | 50 A @ 25 °C |
| Corriente de pico | 200 A (10 µs) |
| RDS(on) máx. | 0,040 Ω @ 10 VGS |
| Carga de compuerta (Qg) | ≈ 156 nC |
| Capacitancia de entrada (Ciss) | ≈ 5600 pF |
| Potencia de disipación (PD) | 300 W (RθJC ≈ 0,42 °C/W) |
| Temperatura de operación | –55 °C ~ +175 °C |
| Encapsulado | TO‑247 (G |
Ventajas clave
- Baja RDS(on) (≤ 40 mΩ) → menor calentamiento y más eficiencia.
- Carga de puerta moderada (156 nC) → conmutación fiable hasta 50‑60 kHz.
- Avalancha y dv/dt 100 % testados → alta robustez frente a transitorios inductivos.
- Encapsulado TO‑247 con orificio M3 → sencillo montaje en disipadores estándar.
Aplicaciones típicas
- Fuentes conmutadas half/full‑bridge de 48‑120 V.
- Inversores para baterías Li‑ion, UPS y fotovoltaicos de 60‑120 V.
- Controladores de motor BLDC y servos de potencia.
- Convertidores buck/boost de alta corriente, cargadores rápidos.
- Amplificadores clase D e inductores de audio profesional.
FAQs
| Pregunta | Respuesta |
| 1. ¿Por qué la versión “N” frente al IRFP260/260M? | Ofrece RDS(on) y Qg inferiores, lo que reduce pérdidas y permite frecuencias más altas. |
| 2. ¿Cómo disiparlo a 40‑50 A continuos? | Disipador ≤ 0,8 °C/W con pasta térmica; añadir ventilación forzada si la disipación supera 150 W. |
| 3. ¿Voltaje de puerta recomendado? | 10‑12 VGS para minimizar RDS(on); no exceder ±20 V para proteger la puerta. |
| 4. ¿Se puede usar en paralelo? | Sí. Añada resistencias de fuente (≈ 0,02‑0,05 Ω) para balancear corrientes. |
| 5. ¿Necesito snubber/TVS? | Recomendable TVS 220 V y/o snubber RC para limitar picos, aunque el dispositivo soporte avalancha. |
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